凭借领先一代的PCM相变存储技术，傲腾系列内存/SSD在企业市场占据上风，超低延迟，寿命远超闪存。
为了对抗奥腾，三星推出了Z-NAND闪存，铁甲侠和西部数码推出了XL-闪存。他们的想法相似。他们在现有闪存的基础上牺牲了性能容量，并以另一种方式复兴了SLC闪存。
据介绍，XL- flash存储器定义为SCM (Storage Memory)，介于传统DRAM存储器和flash存储器之间。它具有更高的速度、更低的延迟、更大的容量和相对较低的成本。初期用于SSD固态硬盘，未来用于内存条等传统DRAM产品。
在国际会议上，装甲人公布了XL- flash memory的一些特性，日本PCWatch网站做了报道。简单看一下这款新型闪存的优势。
如上所述，XL-Flash的思路是在3D栈的基础上复兴SLC，内部存储数据减少到1bit，也就是SLC型，注定容量相对较低，核心容量只有128Gb(16GB)，远远小于目前TLC512Gb甚至QLC1.33Tb的容量。
zx。wNfCW.Cn当然这是基于96层3D栈的。如果是平面时代的SLC闪存，核心容量大概会小几倍。现在128Gb的核心容量基本可以保证大容量的可用性。
以牺牲容量为代价，提高性能。XL-Flash闪存采用16平面架构，延迟仅为普通3D闪存的1/20。具体来说，读取延迟为4us，写入延迟为75us，比延迟超过500us的3DTLC闪存和三星Z-NAND闪存的100us要好得多。
另外XL-Flash闪存的4K随机性能有很大提升，IOPS更高，这里没有具体的数据对比。
至于存储密度，复兴SLC闪存是有成本的。96层堆栈3DTLC闪存和512Gb内核面积86.13mm2，现在128GbXL-Flash闪存存储密度96.34mm2，低3-4倍。
最后，XL-Flash闪存还有一个问题，就是商业化。英特尔的奥腾内存和SSD上市一两年了，而铁甲的XL-Flash还没有量产。之前的新闻说2020年量产，这好像还得等。
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